MOS管是金屬、氧化物、半導體場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。
（1）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好
（2）場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大
（3）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數
（5）場效應管的抗輻射能力強
（6）由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低
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