對于常規(guī)VDMOS 器件結(jié)構(gòu)， Rdson 與BV 這一對矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI 參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI 參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson 就大了。Rdson直接決定著MOS 單體的損耗大小。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和，這就是常規(guī)VDMOS的局限性。但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI 的的P 區(qū)，大大提高了BV，同時對Rdson 上不產(chǎn)生影響。對于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N 型EPI 與body區(qū)界面的PN 結(jié)，對于一個PN 結(jié)，耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴展的寬度的面積。常規(guī)VDSMO，P body 濃度要大于N EPI，大家也應(yīng)該清楚，PN 結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body 區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI 在N 型的一側(cè)區(qū)域，這個區(qū)域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN 結(jié)面，電場強度E 越大。對于COOLMOS 結(jié)構(gòu)，由于設(shè)置了相對P body 濃度低一些的P region 區(qū)域，所以P 區(qū)一側(cè)的耗盡區(qū)會大大擴展，并且這個區(qū)域深入EPI 中，造成了PN 結(jié)兩側(cè)都能承受大的電壓，換句話說，就是把峰值電場Ec 由靠近器件表面，向器件內(nèi)部深入的區(qū)域移動了。
1.通態(tài)阻抗小，通態(tài)損耗小。
由于SJ-MOS 的Rdson 遠遠低于VDMOS，在系統(tǒng)電源類產(chǎn)品中SJ-MOS 的導(dǎo)通損耗必然較之VDMOS要減少的多。其大大提高了系統(tǒng)產(chǎn)品上面的單體MOSFET 的導(dǎo)通損耗，提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的效率，SJ-MOS的這個優(yōu)點在大功率、大電流類的電源產(chǎn)品產(chǎn)品上，優(yōu)勢表現(xiàn)的尤為突出。
2.同等功率規(guī)格下封裝小，有利于功率密度的提高。
首先，同等電流以及電壓規(guī)格條件下，SJ-MOS 的晶源面積要小于VDMOS 工藝的晶源面積，這樣作為MOS 的廠家，對于同一規(guī)格的產(chǎn)品，可以封裝出來體積相對較小的產(chǎn)品，有利于電源系統(tǒng)功率密度的提高。
其次，由于SJ-MOS 的導(dǎo)通損耗的降低從而降低了電源類產(chǎn)品的損耗，因為這些損耗都是以熱量的形式散發(fā)出去，我們在實際中往往會增加散熱器來降低MOS 單體的溫升，使其保證在合適的溫度范圍內(nèi)。由于SJ-MOS 可以有效的減少發(fā)熱量，減小了散熱器的體積，對于一些功率稍低的電源，甚至使用SJ-MOS 后可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了系統(tǒng)電源類產(chǎn)品的功率密度。
3.柵電荷小，對電路的驅(qū)動能力要求降低。
傳統(tǒng)VDMOS 的柵電荷相對較大，我們在實際應(yīng)用中經(jīng)常會遇到由于IC 的驅(qū)動能力不足造成的溫升問題，部分產(chǎn)品在電路設(shè)計中為了增加IC 的驅(qū)動能力，確保MOSFET 的快速導(dǎo)通，我們不得不增加推挽或其它類型的驅(qū)動電路，從而增加了電路的復(fù)雜性。SJ-MOS 的柵電容相對比較小，這樣就可以降低其對驅(qū)動能力的要求，提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的可靠性。
4.節(jié)電容小，開關(guān)速度加快，開關(guān)損耗小。
由于SJ-MOS 結(jié)構(gòu)的改變，其輸出的節(jié)電容也有較大的降低，從而降低了其導(dǎo)通及關(guān)斷過程中的損耗。同時由于SJ-MOS 柵電容也有了響應(yīng)的減小，電容充電時間變短，大大的提高了SJ-MOS 的開關(guān)速度。對于頻率固定的電源來說，可以有效的降低其開通及關(guān)斷損耗。提高整個電源系統(tǒng)的效率。這一點尤其在頻率相對較高的電源上，效果更加
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